SK Group и NVIDIA объявили о расширении стратегического партнёрства, направленного на создание ИИ-инфраструктуры, а также поставки и совместную разработку памяти следующего поколения для ИИ, включая HBM. Компании подписали письма о намерениях для формализации соглашения, которое охватывает все аспекты — от строительства ИИ-фабрик до поставок памяти. Общая стоимость совместных проектов оценивается в $500 млрд.

Новая инициатива является продолжением многолетнего технологического партнёрства между SK Group и NVIDIA, включая планы SK Telecom по созданию в Южной Корее ИИ ЦОД мощностью 2 ГВт. В ИИ-инфраструктуре в Южной Корее будет использоваться платформа NVIDIA DSX с вычислительными системами NVIDIA Vera Rubin, оснащёнными памятью SK hynix HBM4. Запуск первой ИИ-фабрики запланирован на 2027 год.

Компании планируют использовать ИИ-инфраструктуру для поддержки развёртывания суверенного ИИ, корпоративного ИИ, физического ИИ и агентного ИИ в Южной Корее и Азиатско-Тихоокеанском регионе. Согласно пресс-релизу, компании будут совместно разрабатывать и оптимизировать решения для ИИ-памяти следующего поколения, включая HBM, для удовлетворения меняющихся потребностей инфраструктуры, начиная от обучения моделей и заканчивая агентным ИИ и физическим ИИ.

Источник изображения: NVIDIA

«Используя возможности по производству ИИ-памяти SK hynix и инфраструктурные возможности ИИ SK Telecom, SK будет сотрудничать с NVIDIA для создания фабрики ИИ мирового класса, помогая Корее выйти за рамки роли ведущего пользователя ИИ и стать глобальным центром, движущим инновации в области ИИ», — заявил председатель SK Group Чей Тэ-Вон (Chey Tae-won).

Как сообщает DataCenter Dynamics, на этой неделе было объявлено о создании компании SK Hyper, занимающейся развитием бизнеса в сфере ИИ ЦОД и являющейся дочерним предприятием SK Telecom. На его развитие будет направлено ₩750 млрд ($500 млн) в период до 2030 года. Новое предприятие будет отвечать за обеспечение площадок, строительство и эксплуатацию подстанций, привлечение клиентов и коммерциализацию ЦОД. К 2035 году, как ожидается, мощности вырастут до 15 ГВт.

Первым проектом SK Hyper станет кампус гигаваттного масштаба в Ульсане (Ulsan), за которым последуют аналогичные объекты в регионах Чхунчхон (Chungcheong) и Хонам (Honam). SK Telecom занимается развитием кампуса ЦОД в Ульсане в партнёрстве с Amazon с сентября 2025 года.

Южнокорейский производитель чипов памяти SK hynix провёл первичное публичное размещений акций (IPO) на бирже Nasdaq. В ходе процедуры привлечено $26,5 млрд, что стало крупнейшим размещением иностранной компании в США (с учетом поправок на обменный курс). Бумаги торгуются под тикером SKHYV, а в дальнейшем перейдут на тикер SKHY.

Американские депозитарные расписки (ADR) SK hynix были размещены по цене $149. Торги открылись на отметке $170, после чего стоимость несколько снизились, остановившись на уровне $168,01. Таким образом, в первый день торгов на Nasdaq акции компании выросли на 13 %.

SK hynix занимается производством DRAM, HBM и NAND. Спрос на все эти продукты растёт на фоне стремительного расширения инфраструктуры дата-центров для задач НРС и ИИ-нагрузок. В условиях дефицита компонентов памяти рыночная капитализация SK hynix в Южной Корее за год выросла более чем втрое: по этому показателю компания в домашнем регионе уступает только Samsung.

Источник изображения: SK hynix

Председатель совета директоров SK hynix сообщил, что компания рассчитывает увеличить производственные мощности в два раза в течение пяти лет. Однако, по его словам, даже при таком масштабе клиенты опасаются возможного дефицита продукции: «Спрос огромен — он растёт в геометрической прогрессии, и я не вижу никаких признаков сокращения потребности в HBM».

SK hynix уже строит в Индиане (США) научно-исследовательский центр по производству современных микросхем и их упаковке стоимостью $3,87 млрд. Предприятие будет производить память HBM, а начало его работы запланировано на 2028 год. Вместе с тем подавляющая часть инвестиций в намеченное расширение мощностей SK hynix в ближайшие годы придётся на Южную Корею. В частности, планируется сформировать кластер заводов по выпуску чипов в Йонгине (Yongin): стоимость проекта оценивается в $390 млрд.

Южная Корея анонсировала масштабный инвестиционный план с целью ускорения технологического развития страны, включающий три мегапроекта, которые направлены на укрепление цепочек поставок полупроводников, создание инфраструктуры ИИ и развитие индустрии физического ИИ. Об этом сообщил президент Ли Чжэ Мён (Lee Jae Myung) в ходе брифинга с участием глав Samsung Electronics и SK hynix, а также ряда других компаний.

«Мы должны создать основные строительные блоки ИИ быстрее, чем любая другая страна, — сказал Ли. — Полупроводники, физический ИИ и ИИ ЦОД — это три столпа нашего следующего большого шага вперёд». Он подчеркнул, что синергия между полупроводниками, ЦОД и физическим ИИ позволит Южной Корее стать мировым лидером в революции ИИ. «Когда эти три столпа будут работать вместе, как взаимосвязанные шестерни, Корея станет ведущей мировой промышленной державой в эпоху ИИ», — сообщил президент. Согласовывая расширение производства полупроводников с ростом мощностей ИИ ЦОД и развитием физического ИИ, Южная Корея стремится создать вертикально интегрированную экосистему ИИ.

Национальные цели включают удвоение производства DRAM в течение пяти лет и расширение вычислительных мощностей для ИИ примерно до 18,4 ГВт к 2035 году. Президент назвал программу «стратегией выживания нации» в эпоху ИИ, с корпоративными инвестиционными обязательствами на общую сумму более ₩3,755 квадрлн (приблизительно $2,74 трлн) в течение следующих десятилетий в области инфраструктуры ИИ, производства полупроводников и передовых технологий.

Ли Чжэ Мён отметил, что что существующие производственные мощности по выпуску чипов в Йонгине (Yongin) и Пхёнтхэке (Pyeongtaek), центре южнокорейского «полупроводникового пояса» к югу от Сеула, «уже достигли своего предела», и призвал компании ускорить инвестиции в создание производственных мощностей на юго-западе страны.

Источник изображения: Daniel Bernard / Unsplash

Сообщается, что Samsung Electronics и SK hynix инвестируют в общей сложности ₩800 трлн ($518 млрд) в строительство четырёх заводов по производству микросхем памяти в юго-западном регионе страны Хонам (Honam), при этом каждая компания построит по два завода. Ещё ₩81 трлн ($52 млрд) будет направлено на создание крупномасштабного комплекса по упаковке HBM в центральном регионе страны. Председатель правления Samsung Ли Чжэ Ён (Lee Jae-yong) заявил, что город Кванджу (Gwangju) является вероятным местом для новых заводов Samsung, в то время как производственные мощности HBM будут сосредоточены в Чхонане (Cheonan) и Оньяне (Onyang) в регионе Чхунчхон (Chungcheong).

Кроме того, до 2035 года корейские технологические и энергетические гиганты, такие как SK, GS и Naver, планируют выделить еще ₩550 трлн ($356 млрд) на строительство ИИ ЦОД общей мощностью 8,4 ГВт в Ульсане (Ulsan), Донхэ (Donghae), Седжоне (Sejong) и других регионах.

В понедельник Samsung также опубликовала пресс-релиз, в котором объявила о планах инвестировать ₩2,655 квадрлн (около $1,7 трлн) в технологические проекты в стране в течение следующего десятилетия. Из этой суммы ₩2,03 квадрлн (около $1,48 трлн) предполагается направить в развитие кластеров полупроводниковой промышленности, включая кампус в Пхёнтхэке (Pyeongtaek Campus) и Национальный промышленный комплекс в Йонгине (Yongin National Industrial Complex), а ₩625 трлн ($0,22 трлн) — на развитие регионов Хонам, Чхунчхон и Йонгнам (Yeongnam), сосредоточив усилия на полупроводниках для ИИ, робототехнике, батареях, а также компонентах и материалах для IT-индустрии.

Samsung назвала предлагаемые правительством льготы в сфере электроснабжения, водоснабжения, рабочей силы и условий жизни ключевыми факторами при выборе Кванджу, расположенного примерно в 300 км к югу от Сеула, для размещения нового завода по производству полупроводников, а также ИИ ЦОД в Хэнаме (Haenam), на южной оконечности полуострова. Не все уверены в том, что юго-западный регион сможет обеспечить производство микросхем мирового класса, пишет The Wall Street Journal. Эксперты указывают на удалённость региона от существующих сетей поставок полупроводников и на трудности с привлечением квалифицированных кадров из столицы.

В свою очередь, SK Group, как пишет TechCrunch, объявила о среднесрочной и долгосрочной инвестиционной стратегии на сумму ₩2,1 квадрлн (около $1,4 трлн), из которых ₩1100 трлн пойдут на расширение мощностей по производству полупроводников и ₩1 квадрлн ($0,65 трлн) — на создание ИИ ЦОД по всей стране. SK hynix займётся расширением производства чипов, а SK Telecom — строительством ИИ ЦОД на 15 ГВт.

NVIDIA анонсировала новые партнёрства с южнокорейскими технологическими гигантами. В их числе — поставщик чипов памяти SK hynix, интернет-гигант Naver, транснациональный конгломерат Doosan Group, а также SK Telecom и LG, сообщает Silicon Angle. Сделки последовали за поездкой в Южную Корею главы NVIDIA Дженсена Хуанга (Jensen Huang). Прибыв в конце прошлой недели, он провёл выходные за встречами с руководителями южнокорейских технологических компаний.

SK hynix подписала с NVIDIA соглашение о многолетнем технологическом партнёрстве, основное внимание в рамках которого уделяется совершенствованию чипов памяти нового поколения для использования в передовых ИИ ЦОД. В рамках договора компания будет взаимодействовать с NVIDIA для обеспечения стабильных поставок памяти для ИИ-индустрии. Кроме того, она попытается расширить присутствие в смежных нишах «персонального ИИ» и «физического ИИ» — например, в сфере автономной робототехники и транспорта.

По словам Хуанга, стабильные поставки памяти имеют ключевое значение для ускорения строительства и масштабирования ИИ-фабрик, которые возглавят новую промышленную революцию под предводительством ИИ. Также партнёры намерены сотрудничать в области «технологий симуляции» для разработки полупроводников. SK hynix будет применять библиотеку NVIDIA CUDA-X и фреймворк PhysicsNeMo для повышения скорости и эффективности симуляций, используемых при разработке и производстве передовых чипов. Это включает технологии автоматизированного проектирования (т. н. Technology Computer-Aided Design, TCAD) для анализа характеристик полупроводниковых техпроцессов и технологии вычислительной литографии для создания схем микрочипов.

Источник изображения: NVIDIA

Дополнительно родственная SK hynix компания SK Telecom рассчитывает построить в Южной Корее новое ИИ-облако гигаваттного масштаба на основе ИИ-ускорителей и инфраструктурных решений NVIDIA. Первый из нескольких ИИ ЦОД в составе этого облака должен быть введён в эксплуатацию в начале следующего года. С Naver и Doosan компания тоже договорилась о дополнительных проектах в сфере ИИ ЦОД.

В случае с Naver взаимодействие стартует в Седжоне (Sejong), где расположен один из крупнейших в Азии ИИ ЦОД — Naver GAK Sejong. Компании намерены нарастить возможности объекта, а позже заняться строительством дополнительных ИИ-фабрик гигаваттного уровня, хотя будущее этих планов зависит от того, сможет ли Naver обеспечить необходимые закупки оборудования и доступ к электроэнергии. Doosan, разрабатывающая интеллектуальную робототехнику и выпускающая компоненты для GPU NVIDIA, поможет последней задействовать её энергетические решения в своих платформах для ЦОД. Doosan же рассчитывает применять технологии физического ИИ NVIDIA в своих роботах.

Наконец, NVIDIA и LG Group строят ИИ-фабрику для ускорения развития нового поколения бизнесов LG, драйвером которых выступит ИИ, — от робототехники до автономного вождения, технологий ЦОД и облачных GPU-сервисов. ИИ-фабрика обеспечит LG инфраструктурой для обучения ИИ, симуляций, оценки и внедрения ИИ-приложений в ключевых сегментах бизнеса. Совместно компании объединят разработку ИИ-моделей, генерацию данных для физического ИИ, моделирование и обучение робототехники, развёртывание решений на периферии и создание цифровых двойников в масштабах целых предприятий в единый рабочий процесс для создания систем физического ИИ.

Партнёрство с южнокорейскими компаниями должно помочь расширить присутствие NVIDIA в Южной Корее — одном из мировых технологических лидеров. Кстати, SK hynix и её конкурент Samsung Electronics являются двумя из трёх крупнейших производителей чипов памяти в мире, продукция которых имеет жизненно важное значение для ИИ ЦОД. В ноябре 2025 года сообщалось, что NVIDIA продаст Южной Корее 260 тыс. ускорителей для создания суверенной ИИ-инфраструктуры.

Акции тайваньского производителя памяти Nanya Technology подорожали на 10 % после того, как в среду компания в частном порядке продала свои акции на сумму $2,5 млрд компаниям SanDisk, Solidigm (SK hynix), Cisco и Kioxia для расширения производства передовых чипов, сообщает Reuters.

Новый раунд финансирования был организован на фоне желания компании и её клиентов нарастить производственные мощности, поскольку покупателям очень нужен доступ к передовым чипам на фоне глобального дефицита, вызванного бумом ИИ. При этом пострадал не только рынок ИИ-решений, но и другие отрасли, требующие электронных компонентов, включая производство смартфонов, компьютеров и автомобилей. Быстрое развитие ИИ-инфраструктуры требует гигантских объёмов DRAM, NAND и HDD.

В компании подчеркнули, что привлечённые средства будут потрачены на инвестиции в производственные мощности для выпуска передовой памяти. Ключевым инвестором является компания SanDisk, в среду заявившая о намерении купить приблизительно 139 млн акций. По данным The Wall Street Journal, это около 3,9 % с учётом всех «разводнений». Всего компания вложила в покупку около NT$31 млрд ($969,69 млн), остальные компании — по NT$16 млрд.

Источник изображения: Nanya

Помимо инвестиций в ценные бумаги, SanDisk заключила с Nanya и многолетнее стратегическое соглашение, в рамках которого тайваньский производитель будет поставлять американской компании DRAM-модули памяти. Также долгосрочное соглашение о поставке DRAM заключила и Kioxia, сославшись на рост бизнеса, связанного с ростом спроса ИИ-проектов на SSD и необходимость обеспечить себе стабильные поставки DRAM-модулей, играющих в твердотельных накопителях вспомогательное значение.

Раунд финансирования состоялся вскоре после объявления SK Hynix, в среду заявившей о намерении выйти на IPO в США позже в 2026 году. Компания потенциально поможет привлечь $14 млрд. В марте Sandisk порекомендовала клиентам заключать долгосрочные контракты с предсказуемыми поставками памяти и, похоже, сама следует своим рекомендациям в делах с поставщиками.

Компания SK hynix, по сообщению ресурса Blocks & Files, разработала концепцию гибридной памяти, объединяющей на одном интерпозере HBM (High Bandwidth Memory) и флеш-чипы с высокой пропускной способностью HBF (High Bandwidth Flash). Предполагается, что такое решение будет подключаться к GPU для повышения скорости ИИ-инференса.

Современные ИИ-ускорители на основе GPU оснащаются высокопроизводительной памятью HBM. Однако существуют ограничения по её ёмкости, из-за чего операции инференса замедляются, поскольку доступ к данным приходится осуществлять с использованием более медленных SSD. Решить проблему SK hynix предлагает путём применения гибридной конструкции HBM/HBF под названием H³.

Архитектура HBF предусматривает монтаж кристаллов NAND друг над другом поверх логического кристалла. Вся эта связка располагается на интерпозере рядом с контроллером памяти, а также GPU, CPU, TPU или SoC — в зависимости от предназначения конечного изделия. В случае H³ на интерпозере будет дополнительно размещён стек HBM. Отмечается, что время доступа к HBF больше, чем к HBM, но вместе с тем значительно меньше, нежели к традиционным SSD. Таким образом, HBF может служить в качестве быстрого кеша большого объёма.

Источник изображения: SK hynix

По заявлениям SK hynix, стеки HBF могут иметь до 16 раз более высокую ёмкость по сравнению с HBM, обеспечивая при этом сопоставимую пропускную способность. С другой стороны, HBF обладает меньшей износостойкостью при записи, до 4 раз более высоким энергопотреблением и большим временем доступа. HBF выдерживает около 100 тыс. циклов записи, а поэтому лучше всего подходит для рабочих нагрузок с интенсивным чтением. В результате, как утверждается, гибридная конструкция сможет эффективно решать задачи инференса при использовании больших языковых моделей (LLM) с огромным количеством параметров.

В ходе моделирования работы H³, проведенного специалистами SK hynix, рассматривался ускоритель NVIDIA Blackwell B200 с восемью стеками HBM3E и таким же количеством стеков HBF. В пересчете на токены в секунду производительность системы с памятью H³ оказалась в 1,25 раза выше при использовании 1 млн токенов и в 6,14 раза больше при использовании 10 млн токенов по сравнению с решениями, оборудованными только чипами HBM. Более того отмечено 2,69-кратное повышение производительности в расчёте на 1 Вт затрачиваемой энергии по сравнению с конфигурациями без HBF. К тому же связка HBM и HBF может обрабатывать в 18,8 раз больше одновременных запросов, чем только HBM.

Южнокорейская компания SK hynix объявила о создании в США новой компании, специализирующейся на решениях в сфере ИИ с предварительным названием AI Company (AI Co.). Новая компания будет сформирована путём реструктуризации Solidigm (SK hynix NAND Product Solutions Corp.), калифорнийской «дочки» SK hynix по производству SSD корпоративного класса, образованной в 2021 году в результате покупки NAND-бизнеса Intel за $9 млрд. При этом её бизнес-операции будут переданы новой дочерней компании, которая будет называться Solidigm Inc., «для обеспечения преемственности бренда».

Новая структура призвана укрепить конкурентоспособность SK hynix в области технологий памяти для ИИ-платформ, включая высокоскоростную память (HBM). Компания заявила, что эта инициатива знаменует собой переход от традиционной роли производителя памяти к роли ключевого партнёра в решениях для ИИ ЦОД. Полученные в этой роли возможности будут объединены для создания синергии с дочерними компаниями и филиалами SK Group.

SK hynix отметила, что благодаря своему бизнесу по производству SSD корпоративного класса, Solidigm уже является ключевым игроком в экосистеме ИИ ЦОД. Включение Solidigm в состав AI Company направлено на поиск возможностей для сотрудничества и развития бизнеса, которые могут создать синергию с различными направлениями бизнеса в ИИ-индустрии.

Источник изображений: SK hynix

Официальное название AI Company будет объявлено в феврале. Сначала будет сформирована временная управленческая команда и совет директоров, после чего запланирован переход к постоянной управленческой группе, состоящей из местных экспертов с глубокими знаниями рынка США. Для обеспечения первоначального финансирования SK hynix инвестирует в AI Company $10 млрд. Причём эта сумма будет структурирована как резерв на привлечение капитала, в рамках которого средства будут использоваться по запросу AI Co. для финансирования инвестиций.

SK hynix планирует осуществлять через AI Co. стратегические инвестиции в ИИ-компании и расширять сотрудничество с американскими новаторами в сфере ИИ. SK hynix стремится укрепить своё лидерство в области производства памяти, одновременно развивая возможности решений по всей цепочке создания стоимости в ИИ ЦОД, поскольку растёт спрос на оптимизацию на системном уровне для решения проблем с узкими местами в передаче данных, отметил ресурс Korea IT Times. Первоначально SK hynix планирует сосредоточиться на ПО для оптимизации ИИ-систем, а затем постепенно расширять инвестиции в экосистему ИИ ЦОД.

Недавно сообщалось о том, что SK hynix на три месяца ускорила график запуск завода по производству микросхем в южнокорейском Йонъине (Yongin), поскольку компания вкладывает большие деньги в освоение ИИ-волны. На поставках для ЦОД можно заработать ещё больше, поскольку, по крайней мере в краткосрочной перспективе, это создало дефицит памяти в потребительском секторе, отметил ресурс Hothardware. Также в этом месяце стало известно, что SK hynix инвестирует ₩19 трлн ($12,9 млрд) в строительство нового завода по упаковке и тестированию чипов для ИИ-технологий в Чхонджу (Cheongju).

Планы по созданию нового предприятия в США также соответствуют политике США, стимулирующей размещение производства в стране с помощью регулирования пошлин на поставки извне. SK hynix уже строит в Индиане научно-исследовательский центр по производству современных микросхем и их упаковке стоимостью $3,87 млрд, о котором было объявлено ещё в 2024 году. Завод будет производить HBM для ИИ-ускорителей, начало его работы запланировано на 2028 год, пишет ресурс CNBC.

Компании SK hynix и NVIDIA, по сообщениям сетевых источников, занимаются совместной разработкой сверхбыстрых SSD, которые, как ожидается, помогут устранить узкие места современных ИИ-платформ. Проект получил название Storage Next: он предполагает создание чипов флеш-памяти NAND и сопутствующих контроллеров следующего поколения.

По информации ресурса ZDNet, первые прототипы изделий партнёры намерены представить к концу следующего года. Речь идёт о накопителях с интерфейсом PCIe 6.0, которые смогут демонстрировать показатель IOPS (операций ввода/вывода в секунду) на уровне 25 млн. Более того, в 2027-м, как ожидается, будет выпущено устройство с величиной IOPS до 100 млн. Для сравнения, современные высокопроизводительные SSD корпоративного класса имеют значение IOPS на уровне 2–3 млн.

Источник изображения: SK hynix

В основу накопителей Storage Next лягут наработки SK hynix в области памяти AI-N (AI-NAND), оптимизированной для ИИ. В частности, упоминаются решения AI-N P: предполагается, что такие устройства будут выполнены в форм-факторе EDSFF E3.x. Они получат контроллер, предназначенный для выполнения как обычных рабочих нагрузок, так и с высоким показателем IOPS.

По мере того, как ИИ-платформы переходят от обучения к инференсу, возможностей памяти HBM с высокой пропускной способностью оказывается недостаточно: наблюдается разрыв между объёмом и производительностью HBM и вычислительными возможностями ИИ-ускорителей на базе GPU. Цель проекта Storage Next состоит в том, чтобы решить эту проблему путём использования инноваций в области NAND. По сравнению с современными SSD накопители Storage Next смогут демонстрировать увеличение показателя IOPS в 30–50 раз. Кроме того, SK hynix разрабатывает память AI DRAM (AI-D) для ИИ-платформ: эти изделия, как предполагается, помогут справиться с нехваткой памяти.

Компания SK hynix, по сообщению ресурса Blocks & Files, проектирует память нового типа AI DRAM (AI-D) для высокопроизводительных ИИ-платформ. Изделия нового типа будут предлагаться в трёх модификациях — AI-D O (Optimization), AI-D B (Breakthrough) и AI-D E (Expansion), что, как ожидается, позволит устранить узкие места современных систем.

SK hynix является одним из лидеров рынка памяти HBM (Hgh Bandwidth Memory) для ИИ-ускорителей. Однако достижения в данной сфере отстают от развития GPU, из-за чего возникает препятствие в виде «стены памяти»: наблюдается разрыв между объёмом и производительностью HBM и вычислительными возможностями ускорителей. Проще говоря, GPU простаивают в ожидании данных.

Одним из способов решения проблемы является создание кастомизированных чипов HBM, предназначенных для удовлетворения конкретных потребностей клиентов. Вторым вариантом SK hynix считает выпуск специализированной памяти AI-D, спроектированной для различных ИИ-нагрузок.

Источник изображений: SK hynix

В частности, вариант AI-D O предполагает разработку энергосберегающей высокопроизводительной DRAM, которая позволит снизить общую стоимость владения ИИ-платформ. Для таких изделий предусмотрено применение технологий MRDIMM, SOCAMM2 и LPDDR5R.

Продукты семейства AI-D B помогут решить проблему нехватки памяти. Такие изделия будут отличаться «сверхвысокой ёмкостью с возможностью гибкого распределения». Упомянуты технологии CMM (Compute eXpress Link Memory Module) и PIM (Processing-In-Memory). Это означает интеграцию вычислительных возможностей непосредственно в память, что позволит устранить узкие места в перемещении данных и повысить общее быстродействие ИИ-систем.

Ёмкость AI-D B составит до 2 Тбайт — в виде массива из 16 модулей SOCAMM2 на 128 Гбайт каждый. Причём память отдельных ускорителей сможет объединяться в общее адресное пространство объёмом до 16 Пбайт. Любой GPU сможет заимствовать свободную память из этого пула для расширения собственных возможностей по мере роста нагрузки.

Наконец, архитектура AI-D E подразумевает использование памяти, включая HBM, за пределами дата-центров. SK hynix планирует применять DRAM в таких областях, как робототехника, мобильные устройства и платформы промышленной автоматизации.

Компания SK hynix представила стратегию развития решений хранения на базе NAND нового поколения. SK hynix заявила, что в связи с быстрым ростом рынка ИИ-инференса спрос на хранилища на базе NAND, способных быстро и эффективно обрабатывать большие объёмы данных, стремительно растёт. Для удовлетворения этого спроса компания разрабатывает серию решений AIN (AI-NAND), оптимизированных для ИИ. Семейство будет включать решения AIN P, AIN B и AIN D, оптимизированные по производительности, пропускной способности и плотности соответственно.

Источник изображений: SK hynix

AIN P (Performance) — это решение для эффективной обработки больших объёмов данных, генерируемых в рамках масштабных рабочих нагрузок ИИ-инференса. Продукт значительно повышает скорость обработки и энергоэффективность, минимизируя узкие места между хранилищем и ИИ-операциями. SK hynix разрабатывает NAND-память и контроллеры с новыми возможностями и планирует выпустить образцы к концу 2026 года.

Как пишет Blocks & Files, накопитель AIN P, как ожидается, получит поддержку PCIe 6.0 и обеспечит 50 млн IOPS на 512-байт блоках, тогда как сейчас производительность случайного чтения и записи с 4-Кбайт блоками составляет порядка 7 млн IOPS у накопителей PCIe 6.0. То есть AIN P будет в семь раз быстрее, чем нынешние корпоративные PCIe 6.0 SSD, и, по заявлению SK hynix, достичь 100 млн IOPS можно будет уже в 2027 году. Такой SSD будет выполнен в форм-факторе EDSFF E3.x и оснащён контроллером, предназначенным для выполнения как обычных рабочих нагрузок, так и с высоким показателем IOPS.

AIN D (Density) — это высокоплотное решение Nearline (NL) SSD для хранения больших объёмов данных с низкими энергопотреблением и стоимостью, подходящее для хранения ИИ-данных. Компания стремится увеличить плотность QLC SSD с Тбайт до Пбайт, создав решение среднего уровня, сочетающее в себе скорость SSD и экономичность HDD. AIN D от SK hynix как раз предназначен для замены жёстких дисков. Компания также упоминает некий стандарт JEDEC-NLF (Near Line Flash?), который пока не существует. При этом SK hynix пока не упоминает PLC NAND и не приводит данные о ёмкости AIN D.

AIN B (Bandwidth) — это HBF-память с увеличенной за счёт вертикального размещения нескольких модулей NAND пропускной способностью. Ключевым в данном случае является сочетание структуры стекирования HBM с высокой плотностью и экономичностью флеш-памяти NAND. AIN B предложит большую ёмкость, чем HBM, примерно на уровне ёмкости SSD. AIN B может увеличить эффективную ёмкость памяти GPU и, таким образом, устранить необходимость покупки/аренды дополнительных GPU для увеличения ёмкости HBM, например, для хранения содержимого KV-кеша.

Компания рассматривает различные стратегии развития AIN B, например, совместное использование с HBM для повышения общей ёмкости системы, поскольку стек HBF может быть совмещён со стеком HBM на одном интерпозере. SK hynix и Sandisk работают над продвижением стандарта HBF. Они провели в рамках 2025 OCP Global Summit мероприятие HBF Night, посвящённое этому вопросу. Рании компании подписали меморандум о стандартизации HBF в целях расширения технологической экосистемы.

«Благодаря OCP Global Summit и HBF Night мы смогли продемонстрировать настоящее и будущее SK hynix как глобального поставщика решений памяти, процветающего на быстро развивающемся ИИ-рынке», — заявила SK hynix, добавив, что на рынке устройств хранения данных на базе NAND следующего поколения SK hynix будет тесно сотрудничать с клиентами и партнёрами, чтобы стать ключевым игроком.